12月15日下午，澳门新甫京娱乐娱城平台王来国副教授在教学楼C-310作了一场题为“几种纳米复合氧化物阻变器件的原子层沉积制备及其存储特性和忆阻功能的研究”的学术讲座，2016级和2017级材料化学专业部分同学参加了此次讲座。
王博士从信息存储材料的分类及目前的研究现状出发，引出下一代非易失性存储器的有力竞争者——阻变存储器（RRAM），并对其结构构造、信息存储机理、研究现状、发展瓶颈进行了讲解。报告主要介绍了原子层沉积技术制备几种新型纳米复合氧化物RRAM器件的方法，对这几种RRAM器件的工艺参数、微结构与存储性能之间的关系进行了深入地讲解，在此基础上对最优化的器件性能的阻变机制进行了阐释。报告重点就两种HfO2基的双层忆阻器件及其在生物神经突触功能模拟，包括神经突触的非线性传输性能、可塑性以及学习记忆行为等方面，进行了深入浅出的阐述。最后，结合其近期的科研工作，介绍了信息存储研究未来的工作方向和重点。
王来国副教授的学术讲座深入浅出、通俗易懂，同时又紧密联系学科前沿。报告会结束后，还就信息存储材料的保固时间、信息存取速度、人工智能材料的现状等问题以及同学们关心的其它问题进行了深入的交流和探讨。通过本次学术讲座，加深了同学们对材料科学前沿探索的兴趣，开阔了材料化学专业同学未来从事科学研究的视野，也对学好本科阶段课程的重要性有了更为深刻的认识。（澳门新甫京娱乐娱城平台）
